将IDTT-I命名为ITIC，对于标样体系来说，名称简单一些比较好，就比如PCE10、P3HT、PCE11、PCBM这些。名字简单就容易被其他人记忆，也容易得到同行们的认可。

    此外，ITIC的体系，和3D-PDI体系不同，这种ADA分子的最优器件加工条件，不需要退火后处理，也不需要溶剂添加剂，只需要正常的喷涂即可，非常的简单，很“干净”。

    而且，正常旋涂出来的器件性能要比喷涂法制备的器件低2%左右，仅为8.33%，如果其他人不知道喷涂这个技巧，就会比较难以重复出来这个结果。

    第二，基于IDT-I-4F/4Cl/DM这些结构，性能相较于IDT-I，-4F和-DM体系有所提高，幅度也不算小，从6.22%分别提升到了8.92%和8.06%，而-4Cl体系反而略微降低，至5.77%。

    第三，学妹的H3x体系，也就是在BDT单元上引入氟原子后，器件的性能并没有提高，反而略微降低。

    根据现有的文献，从统计学上来看，BDT上引入氟原子，性能提升的概率大概在20%左右，当然的想法是虽然这个概率不高，但也值得尝试，现在扑街了，也没什么
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