论文写起来压力并不大。

    正文部分，许秋先将四组器件编号，PEN基片的PTB7-TH、P3HT体系，分别为1#、3#，玻璃基片对应的体系分别为2#、4#。

    然后，主要就是比较玻璃和PEN这两种基片的不同，对器件性能的影响，并分析其可能的原因。

    像是光学性能，光吸收光谱和荧光光谱都是直接测有效层薄膜的，数据对两种基片的器件都是一样的。

    所以不需要比较，直接将得到的图片信息转化为文字就可以了。

    比如：1#、2#有效层共混薄膜的主要光吸收范围在550-750纳米，最高吸收峰位置在680纳米处，3#、4#的主要光吸收范围在300-600纳米，最高吸收峰位置在530纳米处。

    荧光光谱则相对复杂一些，两种体系都需要分别测试给体、受体单独组分薄膜和共混薄膜的荧光光谱，然后计算荧光淬灭效率。

    不过，同样是看图说话，也没什么难度。

    而像是CELIV，则是对电池器件进行表征，那么不同样品编号的器件测试的结果就会有所不同，就需要进行比较分析。

    许秋的测试结果：

    1#的载流
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